相关证件: 
会员类型:
会员年限:12年
Matsuki/松木
ME55N06
TO-252-3
19+
MOSFET
10
25
100
50
72
0.25
136
规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: 松木
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 72 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
系列: SQ
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 值: 62 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 1.438 g