斯耐尔（深圳）科技有限责任公司

   此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

特性

共漏极结构

低导通电阻

2.2mm × 1.15mm 小外形封装

无铅

符合 RoHS 环保标准

无卤素

栅极静电 (ESD) 保护

规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Texas Instruments 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: PICOSTAR-6 

通道数量: 2 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 12 V 

Id-连续漏极电流: 8 A 

Rds On-漏源导通电阻: 11.9 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 0.75 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V 

Qg-栅极电荷: 10.9 nC 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 150 C 

配置: Dual 

Pd-功率耗散: 2.3 W 

通道模式: Enhancement 

商标名: NexFET 

封装: Reel 

高度: 0.2 mm  

长度: 2.2 mm  

系列: CSD83325L  

晶体管类型: 2 N-Channel  

宽度: 1.15 mm  

商标: Texas Instruments  

正向跨导 - 值: 36 S  

下降时间: 589 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 353 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 711 ns  

典型接通延迟时间: 205 ns  

单位重量: 1.500 mg

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