相关证件: 
会员类型:
会员年限:12年
ON Semiconductor
FQD3N60CTM
TO263
17+
N-Channel
600
2.4
6
300
50
-50~150
SMD
规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 2.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 10.5 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
系列: FQD3N60CTM_WS
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: FQD3N60CTM_WS
单位重量: 260.370 mg